[发明专利]一种PVDF压电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202110270126.0 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN112885956A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 管建国;杨少华;周长阳;胡志军;管涛 | 申请(专利权)人: | 三三智能科技(日照)有限公司 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/193;H01L41/29;H01L41/333 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 卜令涛 |
地址: | 276800 山东省日照市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及压电材料领域,具体是指一种PVDF压电薄膜及其制备方法。PVDF压电薄膜包括PVDF压电薄膜层,压电薄膜层的上表面具有凸出的压力感应微结构阵列,下表面具有凹型沟槽结构;凹形沟槽结构内填充导电材料,导电材料通过导线与控制模块连接。实现了将压电感应和透明电极两种功能集中在一层PVDF压电薄膜上,节约了成本,弯折时粘合强度和柔韧性显著提高;在上表面压制凸起的压力感应微结构,提高了压电层的灵敏度;在下表面压制沟槽填充导电材料,在提高导电率的同时最大限度地保留了压电薄膜的透光性。该PVDF压电薄膜制备方法简单,制备精度和一致性得到了显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 pvdf 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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