[发明专利]一种碳化硅基全谱响应光电探测器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种碳化硅基紫外‑可见‑近红外全谱响应光电探测器及其制备方法。光电探测器包含碳化硅基底，以及位于其上方的金属对电极和表面等离激元纳米结构，其中碳化硅基底与金属对电极构成了电极共面形式的金属‑半导体‑金属型光电探测器。紫外光入射时，碳化硅中直接产生自由载流子被外电路收集产生电信号，可见光入射时，表面等离激元纳米结构中产生的热载流子隧穿进入碳化硅半导体成为自由载流子从而产生电信号。本发明提供的碳化硅基光电探测器克服了现有碳化硅光电探测器只能响应紫外光的限制，实现了同时对紫外光、可见光以及近红外光的全谱探测。