[发明专利]一种MOSFET高频全桥逆变单元在审
| 申请号： | 202110270520.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112865557A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李亚斌;彭咏龙;冯海龙;马锡浩;李蕊 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学（保定） |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/5387;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 071003 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本发明的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 高频 全桥逆变 单元 | ||
【主权项】：
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