[发明专利]一种通过磁场控制α-Ga2

摘要

一种通过磁场控制α‑Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法，薄膜化学式为Ga(2‑x)RxO3，0.02≤x≤0.20，x为R3+掺杂Ga3+位的原子百分含量，R为Fe、Co、Ni中的一种；该系统包括电磁铁、液位控制装置、反应腔、雾化装置、尾气处理装置，电磁铁固定在反应腔右端，液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底，反应腔一端与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统与载气瓶相连。本发明通过加装电磁铁，使掺杂的磁性粒子吸附至反应腔体右端，通过控制电磁铁功率来控制沉积在衬底上的磁性离子浓度，实现实时控制薄膜中的掺杂浓度。