[发明专利]平面型VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110270795.8 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113224129A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳市昭矽微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触体和深体区；其中，体区的上表面自外延层的上表面暴露，源区的上表面与接触体的上表面自体区的上表面暴露，接触体紧靠源区侧边设置，深体区设置于源区与接触体下方，且紧靠源区与接触体。该平面型VDMOS器件的深体区设置于源区与接触体下方，其中的掺杂原子能够由具有多晶硅接触体经热驱入工艺扩散得到，有效避免了在深体区的制作过程中受到注入能量以及注入剂量的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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