[发明专利]交错存取操作以促进两个磁盘表面的同时存取的数据存储装置有效
申请号: | 202110273672.X | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113539302B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | R·P·赖安;S·卡纳 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11B5/55 | 分类号: | G11B5/55 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明名称为交错存取操作以促进两个磁盘表面的同时存取的数据存储装置。公开一种数据存储装置,所述数据存储装置包括在第一磁盘表面上致动的第一磁头以及在第二磁盘表面上致动的第二磁头。通过在单存取间隔期间存取所述第一磁盘表面而不存取所述第二磁盘表面,并且在所述单存取间隔之后,在双存取间隔期间同时存取所述第一和第二磁盘表面,执行所述第一和第二磁盘表面的同时存取。 | ||
搜索关键词: | 交错 存取 操作 促进 两个 磁盘 表面 同时 数据 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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