[发明专利]一种全差分的电平移位器在审
申请号: | 202110273908.X | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN115085698A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 韩颖杰;肖哲飞 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356;H03K19/003 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种全差分的电平移位器,利用输入信号处理模块在输入信号的上升沿产生上升沿电流脉冲信号、在输入信号的下降沿产生下降沿电流脉冲信号;输入信号处理模块结合第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管构成全差分结构,实现电流产生后到比较点的路径相同,从而实现当高侧电源电压和高侧电源地有快速变化时也能保持输出信号不变,提高抗共模干扰能力;同时利用第七NMOS管、第八NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一与非门和第二与非门构成锁存结构,保证电平移位器在输入信号不变时电路中没有静态电流,减小了电路的静态功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 全差分 电平 移位 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海南芯半导体科技股份有限公司,未经上海南芯半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110273908.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:鳍式场效应晶体管的制造方法
- 下一篇:一种用于伞面的印花方法