[发明专利]单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110273910.7 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN112919404B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 韩宏伟;梅安意;王一帆;邱泽雄 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;G01R1/04;G01R31/26
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 尹丽媛;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于半导体领域,具体涉及单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用,单一载流子多孔膜支架包括单一空穴多孔膜支架与单一电子多孔膜支架。单一空穴多孔膜支架结构依次为第一电极、第一空穴传输层、多孔绝缘支架层和多孔电极层,多孔用于填充半导体,以测试半导体材料中的空穴迁移率、空穴浓度与缺陷态密度。单一电子多孔膜支架结构依次为第一电极、第一电子传输层、多孔绝缘支架层、多孔第二电子传输层和多孔电极层,同样多孔用于填充半导体,用以测试半导体材料中的电子迁移率、电子浓度与缺陷态密度。本发明提出的支架,制备工艺简单,成本低廉,便于灵活调控,适用于宏观化批量生产与高通量SCLC分析测试,是一种行之有效的SCLC器件设计思路。
搜索关键词: 单一 载流子 多孔 支架 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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