[发明专利]一种IGBT晶圆的加工工艺有效
| 申请号： | 202110273974.7 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112786448B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/683;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 徐昶 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：一种IGBT晶圆的加工工艺，包括以下步骤：S1、IGBT晶圆正面沉积ILD层；S2、晶圆正面永久键合硅基载板；S3、晶圆背面减薄，植入离子并子活化；S4、制作反面金属镀膜；S5、将晶圆背面暂时键合玻璃载板，除去硅基载板；S6、蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，溅镀厚膜Al填充触孔；S7、完成晶圆正面制程；S8、解键合，移除玻璃载板。本发明通过永久键合硅基载板克服了传统工艺暂时键合玻璃板后高温回火温度的限制，以及激光局部离子激活不能对深层离子进行激活的缺陷，可以进行超薄的IGBT晶圆加工，降低了I GBT晶圆的加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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