[发明专利]一种HEMT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110274345.6 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113113313A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林志东;刘胜厚;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT器件及其制作方法，HEMT器件包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层构成异质结；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，所述栅极包括设置于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的梳齿栅极结构；所述梳齿栅极结构包含梳柄部和至少两个或两个以上的梳齿部，所述梳齿部与梳柄部相连，梳齿部间隔设置；所述梳柄部设置于势垒层上并与源极或漏极平行；沿着栅宽方向若干相邻梳齿部之间的间距逐渐变宽或逐渐变窄分布；所述梳齿部深入势垒层的中；所述梳齿部深入势垒层的深度大于或等于一半的势垒层厚度，该HEMT器件可以实现在不同栅极区域具有不同的关断电压，从而提高器件线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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