[发明专利]一种纳米晶MoSi2有效

专利信息
申请号: 202110275815.0 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN113046714B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 李凤吉;游宇航;张善勇;聂彩雯 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 代理人: 马肃
地址: 400715 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及高温涂层材料技术领域,具体公开了一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法及纳米晶MoSi2涂层,MoSi2涂层的制备方法包括以下步骤:将基底置于磁控溅射系统的腔室中,抽真空后通入惰性气体,加热基底至600‑800℃,同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积,得到MoSi2涂层;其中,钼靶为1个,硅靶为2个,共沉积过程中,控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。本发明的纳米晶MoSi2涂层的制备方法简单,能够在基底上原位合成化学计量比的MoSi2涂层,不需要再经过退火处理,能够避免在退火过程中发生晶粒变大以及膜基结合力变弱等问题,同时避免在涂层中引入其它非化学计量比的组成相。
搜索关键词: 一种 纳米 mosi base sub
【主权项】:
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