[发明专利]高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器在审
| 申请号： | 202110276918.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113406355A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | F·里奇尼;G·加特瑞;S·泽比尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时，惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定，并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值，则惯性质量块紧靠主止动元件，并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值，则当惯性质量块紧靠次止动元件时，惯性质量块的旋转终止。 | ||
| 搜索关键词： | 静摩擦 现象 mems 惯性 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110276918.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
