[发明专利]原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu-基合金复合材料的方法在审
| 申请号： | 202110277141.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113051729A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王通;董桂馥;阎小军 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;C22C1/05;C22C9/00;C22C32/00;G06F113/26;G06F119/14 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 祝诗洋 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu‑基合金复合材料的方法，在制作工艺上通过选择晶体结构建模，使得粉末冶金法下的成型更加致密。本发明采用面心立方填隙，适用于两种强化相不同粉末烧结成型。通过调控强化相与基体间的尺寸比例，提高了强化材料与基体合金之间的结合力。摩擦时避免了解理开裂与强化相聚集导致的不稳定因素，极大地提高了耐磨材料的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 堆积 理论 压力 烧结 制备 sic 石墨 强化 cu 合金 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
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