[发明专利]一种降低二氧化硅层金属离子含量的制备方法在审
| 申请号： | 202110278172.5 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113035703A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董彬;唐发俊;李明达;居斌;薛兵 | 申请（专利权）人： | 中电晶华（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低二氧化硅层金属离子含量的制备方法，对所用石英晶舟和碳化硅桨用酸液进行清洗；将硅衬底片装在晶舟上通过碳化硅桨从炉口送入到炉管内，硅衬底片参考面位置统一向上；从炉管当前的900℃升到1050℃，通入氧气；通入气态二氯二氢硅作为生长辅助气体，通入氧气，氢氧点火，进行湿氧化工艺，氮气停止通入；增加氧气流量，通入氢气，通入三氯乙烯气体；将温度从1050℃降至900℃，保持通入氮气，硅衬底片上形成了二氧化硅层；将二氧化硅片放置碳化硅高温炉，通入氩气，之后降温至800℃，至此整套工艺完成。降低了二氧化硅层的金属离子杂质，优化了二氧化硅的纯度，电压耐受能力从70V提升到90~100V左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 二氧化硅 金属 离子 含量 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
