[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110279340.2 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113066869B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 严毅琳;马文力;陆婉玥 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了快恢复二极管芯片技术领域内的一种快恢复二极管芯片及其制备方法。该二极管芯片包括衬底和背面金属电极，衬底上设置有源区和终端区，衬底上还设置有若干个压敏电阻条，若干个压敏电阻条分布设置于终端区的外围，每个压敏电阻条两端均设有压敏条电极；衬底底面设置有凹槽，背面金属电极设置于凹槽内且位于源区正下方，压敏电阻条的正投影位于背面金属电极和凹槽内壁之间。该二极管芯片集成有压敏电阻条，压敏电阻条在工作时与快恢复源区有相似的工作环境，从而实现对二极管芯片工作时的压力监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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