[发明专利]复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法有效

专利信息
申请号: 202110280005.4 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN112928211B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 黄永安;田雨;叶冬 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40;B82Y30/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域,其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法,包括以下步骤:(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层;(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜,电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变,使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点,进而实现法向曲面自对准;(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线,且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道;(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态,继而实现自对准封装,由此制造完成。本发明通过电流体喷印自对准工艺实现了曲面基底上薄膜晶体管的原位制备与自封装。
搜索关键词: 复杂 曲面 薄膜晶体管 对准 流体 光刻 制造 方法
【主权项】:
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