[发明专利]一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110280164.4 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112953454B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 帅垚;魏子杰;吴传贵;罗文博 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于单晶薄膜器件的设计与制备领域，具体涉及一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法。本发明通过采用特殊切向的薄膜压电材料，激发出特定模态的高声速声表面波，实现了高机电耦合系数的同时，也提升了谐振频率；并配合双层的声反射结构，就有效的抑制高声速声表面波向体方向的泄露，将声表面波的能量限制在压电薄膜，提升了器件Q值。相较多层布拉格反射层的抑制能量泄露方式，本发明降低了反射层层数，既保证了反射层具有较好的质量，也避免了逐层生长薄膜质量差对谐振器产生的不良影响，同时降低了制备材料和/或工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 损耗 表面波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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