[发明专利]垂直型晶体管、包括其的反相器及垂直型半导体器件在审
| 申请号： | 202110280227.6 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113410304A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 包括 反相器 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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