[发明专利]薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法在审
申请号: | 202110280691.5 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN112883676A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 刘芷诫;郑英奎;康玄武;陈晓娟;魏珂;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 李明里 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法;模型中的非线性沟道电阻R |
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搜索关键词: | 薄势垒层 场板型肖特基 二极管 器件 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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