[发明专利]一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法有效
申请号: | 202110281429.2 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113054058B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 田浩;李帅;谭鹏;孟祥达 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01B13/00;G03F7/20 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法,本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时,难实现良好的图案化刻蚀的问题,本发明在清洗后的基底上旋涂聚酰亚胺,固化后再旋涂光刻胶,烘干后得到光刻胶层;使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化,烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底;在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜,浸泡在有机溶剂中,超声清洗,氮气吹干即完成。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 疏水 衬底 图案 刻蚀 pedot pss 透明 电极 紫外 光刻 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的