[发明专利]记忆体装置以及其修补方法在审
| 申请号： | 202110282028.9 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112837736A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞仁;砂永登志男;杨子澔 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种记忆体装置以及其修补方法，记忆体装置包含多个常规记忆体电路与冗余记忆体电路。常规记忆体电路包含多个常规记忆体阵列。冗余记忆体电路包含冗余记忆体阵列。多个常规记忆体阵列共用冗余记忆体阵列。当多个常规记忆体阵列中的第一常规记忆体阵列的第一常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第一冗余记忆体单元取代第一常规记忆体单元。当多个常规记忆体阵列中的第二常规记忆体阵列的第二常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第二冗余记忆体单元取代第二常规记忆体单元。本实施于冗余记忆体单元的分配上更有弹性亦可改善冗余记忆体单元不足够的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 装置 及其 修补 方法 | ||
【主权项】：
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