[发明专利]封装膜及电池在审

专利信息
申请号: 202110282452.3 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN113054293A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 王吉飞 申请(专利权)人: 东莞新能安科技有限公司
主分类号: H01M50/105 分类号: H01M50/105;H01M50/124;H01M50/131;H01M50/136
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 薛晓伟
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种封装膜,包括封装结构,所述封装结构包括:一次冲坑形成的第一凹槽和二次冲坑形成的第二凹槽;所述第一凹槽的长度大于所述第二凹槽的长度,所述第一凹槽的大于所述第二凹槽的宽度;所述第二凹槽位于所述第一凹槽内,并与所述第一凹槽形成梯度结构。上述的封装膜及电池通过二次冲坑形成梯度结构的第一凹槽和第二凹槽,相较于一次冲坑,突破冲坑深度的限制,而且避免冲坑深度的增加导致的粘结层破损腐蚀或者金属层破损,采用该封装膜结构实现软包电芯在厚度方向大幅提容。
搜索关键词: 封装 电池
【主权项】:
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