[发明专利]一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片有效
| 申请号： | 202110283309.6 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113037263B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 原怡菲 | 申请（专利权）人： | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片，其特征在于，包括晶体管M1～M4，偏置电阻R1～R4，隔直电容C1～C5，电感L1～L5。本发明对传统的正电控制的单级串联‑并联单刀双掷开关结构进行改进，通过在串联射频支路上增加电感，使电感与晶体管寄生电容形成串联谐振以降低插入损耗，通过在并联射频支路增加电感，使电感与并联支路上的隔直电容形成串联谐振以提高隔离度。采用增加电感的方法，可以显著提高隔离度，降低插损，并且结构简单，芯片面积小，集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 正压 控制 低插损高 隔离 单刀 开关 芯片 | ||
【主权项】：
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