[发明专利]一种电场调控原子尺寸器件光电性能的方法在审
| 申请号： | 202110283405.0 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113063968A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑学军;吕岩;董辉;彭金峰;穆军政 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01Q60/24 | 分类号： | G01Q60/24 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 谢浪 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过电场调控原子尺寸器件光电性能的方法，首先搭建原子级沟道长度的光电器件，在电场作用下通过调节沟道长度，控制光电性能的变化，本发明测量沟道长度精度达到0.01nm，达到了原子级，通过施加电场，实现原子级沟道长度可控调节，从而实现了器件电导率和光电开关比的调控，建立了原子级沟道长度与光电性能的定量关联。本发明对场效应晶体管、光电探测器、传感器等器件性能以至整个MEMS的设计都有着非常重要的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 调控 原子 尺寸 器件 光电 性能 方法 | ||
【主权项】：
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