[发明专利]场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110284047.5 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN112864239B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种场效应晶体管及其制备方法。制备场效应晶体管的方法包括：制备在第一表面具有凸起的鳍型衬底，并在衬底上依次形成覆盖凸起和第一表面的一部分的半导体层和垫层；依次去除垫层的一部分和半导体层的一部分，以形成暴露所述起的一部分的第一沟槽；在第一表面上形成牺牲层，牺牲层围绕半导体层并填充第一沟槽的靠近衬底的部分；减薄半导体层的未被牺牲层围绕的部分在平行于第一表面方向的宽度；去除牺牲层；去除衬底的对应第一沟槽的部分以形成第二沟槽，并在第二沟槽中形成外延生长层。根据该制备方法，通过对半导体层的顶部形貌进行修整，使该部分的宽度相对于垫层的宽度变窄，可有效避免在后续制程中由不良生长所造成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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