[发明专利]一种化合物半导体晶圆的加工工艺

摘要

本发明公开一种化合物半导体晶圆的加工工艺，包括以下步骤：S1、完成小尺寸化合物半导体基板前段晶体工艺；S2、化合物半导体基板与硅基板永久性键合；S3、制作背面元件工艺；S4、完成背面制程后，将整个化合物半导体基板背面键合至玻璃载板；S5、翻转至正面，利用研磨及蚀刻的工艺将硅基板完全移除，然后制作正面工艺；S6、完成正面工艺后，进行切割工艺；S7、然后解键合将移除玻璃载板去除键合的胶膜或复合膜，完成化合物半导体晶圆的加工。本发明工艺可利用现有的硅基板加工设备进行小尺寸的化合物半导体基板加工，提升生产效率，且小尺寸的化合物半导体可以制作较薄，提升化合物材料晶柱的利用率，大幅降低材料的成本。