[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110284566.1 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN112687656A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郭丽丽 | 申请（专利权）人： | 浙江铖昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/482;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310010 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，结构包括：具有容置凹槽的载片；待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙；侧壁补偿桥接层，连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通；种子层及互联金属层，形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计，在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接，后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题，防止气泡对后续封装工艺的影响。另外，还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面，利于后续互联。本发明工艺简单，适合各种厚度的芯片，在保护待键合芯片的同时为后续的种子层连续提供保证，使后续RDL的电镀工艺得以进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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