[发明专利]采用混合半导体技术的RCC电路有效

专利信息
申请号: 202110284568.0 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN112803786B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王玉雯;雷建明;肖佳伟;庄宗其;王梓人;张文秀;杜佳 申请(专利权)人: 南京工业职业技术大学
主分类号: H02M3/338 分类号: H02M3/338
代理公司: 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 代理人: 项磊
地址: 210023 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种采用混合半导体技术的RCC电路,涉及开关电源领域,电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件,提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底,三晶体管共用一个晶圆,减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组Na,采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号,无须控制芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案,与自激驱动腔共用一个线圈,省去了电流检测电阻,实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈,通过在关断时间内,对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算,间接获取输出电压信息,从而实现对输出电压的实时精确调控。
搜索关键词: 采用 混合 半导体 技术 rcc 电路
【主权项】:
暂无信息
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