[发明专利]多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置在审
申请号: | 202110284684.2 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113495434A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 山下浩;五岛嘉国;森田博文;松本裕史 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度,并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备:半导体基板;绝缘膜,设于所述半导体基板上;防带电膜,设于所述绝缘膜上;多个单元,分别具有消隐电极和接地电极,该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上;以及接地布线,设于所述绝缘膜中。所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接,该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。 | ||
搜索关键词: | 多射束用 装置 以及 带电 粒子束 描绘 | ||
【主权项】:
暂无信息
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