[发明专利]通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件在审
| 申请号： | 202110284739.X | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053807A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 林豫立 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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