[发明专利]一种低内阻三元单晶极片的制备方法在审
| 申请号： | 202110285899.6 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113054164A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 段锐;郑刚;汪宇;林浩 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/1391 | 分类号： | H01M4/1391;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/485;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 韩燕 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低内阻三元单晶极片的制备方法，将钙钛矿‑钛酸镧锂和石墨烯材料作为包覆材料包覆于三元单晶材料的表面，使得极片活性材料具有良好的离子导电性和电子导电性，大大降低了材料本体内阻。本发明通过控制三元单晶/钛酸镧锂/石墨烯复合材料的粒径分布、导电剂和正极集流体的选择，使得电极拥有更好的孔结构，利于Li+扩散，更易形成导电网络，涂碳铝箔的选择明显降低活性颗粒与集流体的接触阻抗，且可降低电池在使用过程中内阻的增幅。本发明制得的低内阻三元单晶极片，比常规三元单晶极片内阻低50‑80％左右，解决了三元单晶材料由于颗粒大、Li |
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| 搜索关键词： | 一种 内阻 三元 单晶极片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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