[发明专利]一种基于镧系锰氧化物及单晶硅的场效应管结构薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110287106.4 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113054013B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈水源;张裕祥;霍冠忠;王可;叶晴莹;林文青 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/267;H01L21/335 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于镧系锰氧化物及单晶硅的场效应管结构薄膜及其制备方法，其包括单晶衬底、镧系锰氧化物、三个同类型电极及基于镧系锰氧化物和单晶硅的场效应管结构薄膜的制备方法，所述的制备方法包括镧系锰氧化物材料的制备和场效应管结构三个同类型电极的形成，所述三个同类型电极是金属电极，包括漏极、源极和栅极，形成场效应管结构，使镧系锰氧化物的整流特性的测量方式不同于简单的二极管结构，不仅可以拓展半导体器件领域的研究，可变换不同材料体系，但采用相同的场效应管结构测量方式，使得镧系锰氧化物在外加电场和光照的作用下都可获取别致的性能，而且还实现了场效应管和铁磁材料的结合，使得外加磁场给镧系锰氧化物的整流特性的变化提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 镧系锰 氧化物 单晶硅 场效应 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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