[发明专利]一种含有隔离p-top区的逆导型超结IGBT有效
| 申请号： | 202110288026.0 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113035939B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 马瑶;黄铭敏;胡敏 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较低的第二导电类型的顶部区，所述顶部区通过槽型栅极结构与第二导电类型的基区相隔离，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降并且能消除电压随电流的折回现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 隔离 top 逆导型超结 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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