[发明专利]一种二硫化钼平面同质结的制备方法有效
| 申请号： | 202110288027.5 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113045213B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王泽高;罗夕艾;彭正瀚 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二硫化钼平面同质结的制备方法，将预处理后的钠钙玻璃基片置于钼箔甲表面并在钠钙玻璃基片表面覆盖经过预氧化处理的钼箔乙，通入惰性气体并保持反应腔体为常压，加热钼箔甲/钠钙玻璃基片/钼箔乙至钠钙玻璃基片熔融温度；在惰性气体上游放置盛有硫粉的石英舟，加热石英舟使硫粉蒸发；生长时间结束后，在钠钙玻璃基片靠近钼箔乙的表面得到单晶结构的单层/双层相间的二硫化钼平面同质结薄膜。本发明方法简单、成本低廉、环境无污染，可制备大面积、高质量和高电子迁移率的二硫化钼平面同质结薄膜。本发明可应用于基于二硫化钼薄膜的电子、光电器件等领域，对二硫化钼薄膜本身以及基于过渡金属硫化物二维材料的研究具有积极作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 平面 同质 制备 方法 | ||
【主权项】：
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