[发明专利]一种半导体器件布局结构在审
| 申请号： | 202110288621.4 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113054006A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件布局结构，其可使半导体器件尺寸缩小，同时可确保半导体器件的电学性能，其包括衬底、布置于衬底上的源极区、漏极区、栅极区、连通源极区与漏极区的沟道、连接线，源极区、漏极区、栅极区均为主动区域，主动区域包括第一主动区域、第二主动区域，源极区、漏极区均包括若干间隔平行分布的第一主动区域，栅极区包括三个间隔平行分布的第二主动区域，且三个第二主动区域分别与源极区和漏极区的两侧端、中部垂直，连接线位于相邻两个第二主动区域之间，连接线与栅极区平行，与第一主动区域垂直相交，连接线的两端凸出于第一主动区域的两侧，或连接线位于第一主动区域的中部位置或边缘位置，第二主动区域的宽度为14nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 布局 结构 | ||
【主权项】：
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