[发明专利]一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法在审
| 申请号： | 202110288972.5 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113140638A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 贾文博;张治国;祝永峰;任向阳;郑东明;关维冰;尹萍;白雪松;海腾;冯艳敏;周聪;肖文英;刘欣慧 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01L1/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 | 代理人： | 杨滨 |
| 地址： | 110172 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：该传感器芯片为背面受压，且用整体KOH腐蚀的方法，避免了传统方法各向异性腐蚀产生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接时选择正面封接，而电极从背面引出。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、退火，溅射金属等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定和性能与传统的硅压力传感器无差别，但是其经济型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%‑90%，此外传感器的过载性能比传统的硅压力传感器可提升2‑8倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 经济型 压力传感器 芯片 加工 方法 | ||
【主权项】：
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