[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110291982.4 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115117230A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;黃柏允;张温文;何坤展 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包括多个磁阻式随机存取存储器单元，一原子层沉积介电层位于该些磁阻式随机存取存储器单元的外侧以及该些磁阻式随机存取存储器单元之间，其中该磁阻式随机存取存储器单元的上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中的氮成分比例大于钛成分比例复又大于氧成分比例，该氮成分比例从该上电极层的顶面往内部递增直到达至一深度后开始递减至一第一水平后持平，该钛成分比例从该上电极层的顶面往内部递减至该深度后开始递增至一第二水平后持平。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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