[发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路有效

专利信息
申请号: 202110292262.X 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN112928902B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 张少昆;范涛;温旭辉 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 刘静
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种SiC MOSFET的驱动电路,驱动电路包括:控制模块、上桥臂电路及下桥臂电路,控制模块发出上桥臂SiC MOSFET及下桥臂SiC MOSFET的控制信号;上桥臂电路及下桥臂电路均包括:推挽电路,用于根据控制信号生成正向驱动电压或负向驱动电压;串扰抑制电路,用于基于正向驱动电压,将SiC MOSFET的栅‑源电压从零电压上升至正向驱动电压,驱动SiC MOSFET导通;或基于负向驱动电压,在正向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压下降至负向驱动电压,驱动SiC MOSFET关断,从而避免了正向串扰电压尖峰误导通SiC MOSFET,并在正向串扰发生之后、负向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压从负向驱动电压钳位至零电压,从而避免了负向串扰电压尖峰击穿SiC MOSFET。
搜索关键词: 一种 sic mosfet 驱动 电路
【主权项】:
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