[发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路有效
申请号: | 202110292262.X | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN112928902B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 张少昆;范涛;温旭辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiC MOSFET的驱动电路,驱动电路包括:控制模块、上桥臂电路及下桥臂电路,控制模块发出上桥臂SiC MOSFET及下桥臂SiC MOSFET的控制信号;上桥臂电路及下桥臂电路均包括:推挽电路,用于根据控制信号生成正向驱动电压或负向驱动电压;串扰抑制电路,用于基于正向驱动电压,将SiC MOSFET的栅‑源电压从零电压上升至正向驱动电压,驱动SiC MOSFET导通;或基于负向驱动电压,在正向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压下降至负向驱动电压,驱动SiC MOSFET关断,从而避免了正向串扰电压尖峰误导通SiC MOSFET,并在正向串扰发生之后、负向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压从负向驱动电压钳位至零电压,从而避免了负向串扰电压尖峰击穿SiC MOSFET。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic mosfet 驱动 电路 | ||
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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