[发明专利]降低光波导损耗的处理方法及装置在审
| 申请号： | 202110292430.5 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113206011A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 颜博霞;亓岩;白谋;王延伟;韩哲;范元媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低光波导损耗的处理方法及装置，该降低光波导损耗的处理方法包括以下步骤：将划片后的芯片依次进行升温阶段、恒温阶段和降温阶段的处理；其中，升温阶段为：以预定升温速率升温至200～250℃；恒温阶段为：在200～250℃保持一定时间；降温阶段为：以预定降温速率降温至50±5℃。该降低光波导损耗的处理方法通过低温烘烤光子芯片恒定时间，消除或降低划片带来的应力问题，直接、快速的实现了光波导传输损耗的降低，同时低温烘烤避免了高温对光子芯片上器件的破坏，简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 波导 损耗 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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