[发明专利]调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用在审
| 申请号： | 202110293254.7 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112875688A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金奕千;彭苏萍 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学（北京） |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用，涉及石墨烯技术领域。该方法通过使氧化石墨烯、任选的调节剂和水形成的第一溶液在基材表面形成薄膜，然后将形成有薄膜的基材进行干燥、加热，以使薄膜中的氧化石墨烯还原为石墨烯，任选的采用氧化剂进行处理，以调节石墨烯的禁带宽度；其中，通过采用氧化剂或者调节剂对石墨烯进行官能团修饰，使其具有一定的吸电子能力或者给电子能力，从而改变石墨烯的电子激发能，达到连续可控调节石墨烯禁带宽度的目的；另外，该方法中所采用的氧化剂或者调节剂原料廉价、易得，整个处理过程符合无污染、低能耗、低碳排放的理念。本发明还提供了一种石墨烯半导体元件和半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 石墨 烯禁带 宽度 方法 半导体 元件 应用 | ||
【主权项】：
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