[发明专利]一种用于芯片级封装的发光元件及其制备方法和封装结构有效
| 申请号： | 202110293423.7 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112802934B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徐晓丽;孙雷蒙;杨丹 | 申请（专利权）人： | 华引芯（武汉）科技有限公司;武汉青格信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子领域，提供了一种用于芯片级封装的发光元件及其制备方法和封装结构。方法包括：依次制作外延层、N型导电区域、覆盖P型半导体层的电流扩展层、覆盖电流扩展层和外延层的钝化层、P电极和N电极；然后使用磁控溅射工艺制作覆盖P电极端面和N电极端面的第一种子层；使用磁控溅射工艺制作覆盖第一种子层、钝化层、P电极侧面及N电极侧面的第二种子层；使用电镀工艺在覆盖P电极端面的第二种子层上以及在覆盖N电极端面的第二种子层上制作加厚电极；最后刻蚀覆盖在P电极端面和N电极端面之外区域的第二种子层。该方法可以加厚电极，解决白墙胶不能有效填充至电极对之间区域问题；方法易实现、产品良率高、成本低，宜推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 芯片级 封装 发光 元件 及其 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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