[发明专利]存储器件及相关存储器件的编程方法有效
| 申请号： | 202110294326.X | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951299B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;李姗;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明为存储器件及相关存储器件的编程方法，可以使用ISPP方案对沟道堆叠的3D存储器件中的垂直NAND串进行编程，其中，在每个验证步骤之后并且在相应的验证步骤开始之前立即引入准备步骤。在准备步骤期间，累积在沟道中的电子可以被选定的位线耗尽，以增强沟道的耦合效果，从而减少编程干扰并提高编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 相关 编程 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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