[发明专利]基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器在审
| 申请号： | 202110294573.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113075596A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;赵旭鹏;秦红蕊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器及其制备方法，该隧穿磁电阻效应磁敏传感器包括：衬底；平滑层，设置在衬底上；探测磁性层，设置在平滑层上，其中，探测磁性层为具有超顺磁性的薄膜；势垒层，设置在探测磁性层上；参考磁性层，设置在势垒层上，其中，参考磁性层为具有磁各向异性的薄膜；覆盖层，设置在参考磁性层上，形成磁性多层膜结构，其中，覆盖层用于保护磁性多层膜结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 顺磁性 薄膜 磁电 效应 传感器 | ||
【主权项】：
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