[发明专利]自对准成像方法有效
| 申请号： | 202110294904.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113078100B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张锦;彭冰川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种自对准成像方法，包括以下步骤：提供具有多个第一凹槽的待刻蚀层；在多个第一凹槽中形成第一牺牲层；利用图案化的第二芯模层和覆盖第二芯模层的第二间隔层在第一牺牲层上形成具有多个第二凹槽的硬掩模层；使用硬掩模层在待刻蚀层中形成多个第三凹槽；以及去除硬掩模层和第一牺牲层，得到具有多个第一凹槽和多个第三凹槽的待刻蚀层。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 成像 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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