[发明专利]一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用在审
| 申请号： | 202110295109.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113215538A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王飞飞;王佳盛;黎梓浩;赵祥永;王涛;唐艳学;段志华;石旺舟 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/58;C04B35/622;C04B35/495;C04B35/472 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 李新新 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包括Pt/Ti/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 居里 衬底 薄膜 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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