[发明专利]一种高纯低氧钨硅合金靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202110295606.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113088899B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李利利;丁照崇;曲鹏;李勇军;曹晓萌;贾倩;滕海涛;张晓娜;杜文路 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/15;B22F1/14;B22F1/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯低氧钨硅合金靶材及其制备方法，所述制备方法以高纯度的钨粉和高纯度的硅粉为原料，通过在填充惰性气体的手套箱内进行粉末配料、混粉罐装粉、混合后粉末装包套的方式进行，保证粉末全过程不暴露于大气环境，获得高纯低氧混合粉末，然后采用热等静压烧结成型，制备了微观组织均匀、相对密度≥99％、纯度≥5N、氧含量≤400ppm的钨硅靶材。本发明的方法不仅可以制备钨硅合金靶材，还可以制备其他如钽硅靶、铝钪靶等易氧化材料的靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 低氧 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
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