[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110296835.6 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN115117167A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨承;王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；鳍部，位于所述衬底上；隔离层，位于相邻所述鳍部之间的所述衬底上，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面以及所述隔离层的顶部表面；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内；间隔层，位于所述源漏掺杂层和所述衬底之间。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，有利于提高所形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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