[发明专利]一种低磁场磁电阻角度传感器有效
| 申请号： | 202110297617.4 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113063344B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;周志敏 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215634 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种低磁场磁电阻角度传感器，该传感器包括：位于X‑Y平面上的衬底；位于衬底上的磁阻传感单元，其包括多层薄膜结构，多层薄膜结构至少包括堆叠的自由层、势垒层和参考层，磁阻传感单元为椭圆形，且自由层为长轴Ly、短轴Lx和厚度Lz的椭圆形，自由层具有饱和磁场、形状各向异性退磁场和X方向的磁晶各向异性场，外磁场在X‑Y平面内发生0‑360°旋转，则磁晶各向异性场被形状各向异性退磁场补偿使自由层的有效各向异性场接近为0，使得外磁场具有接近自由层的饱和磁场的低工作磁场值。本发明实施例中，可以提高磁电阻角度传感器角度测量的准确性；且所需外磁场的磁场值低，降低了传感器的价格和使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 磁电 角度 传感器 | ||
【主权项】：
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