[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110299582.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113113516B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;李佳恩;张敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有相对的正面和背面；堆叠外延层，包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，半导体发光器件自堆叠外延层的一个侧面出光；形成在与半导体发光器件的出光侧相对的侧面的反射层；第一电极结构，包括位于衬底背面的第一欧姆接触层，以及位于第一欧姆接触层上且远离衬底的一侧的连接金属层；第一电极结构还延伸至堆叠外延层的侧面，连接金属层还延伸覆盖反射层。连接金属层不会影响发光器件的发光效果，同时能够及时地将外延层、抗反射层和反射层产生的热量传导出去，提高抗反射层和反射层抗光学灾变损伤的能力以及抗热翻转的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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