[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
申请号: | 202110299699.6 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112803912B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 项少华;罗传鹏;王冲;蔡敏豪;单伟中;王大甲 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。通过优先制备金属环,以使压电层覆盖金属环,从而使金属环不会从压电层的表面暴露出,进而在制备质量负载层时避免了对金属环造成损伤,并能够有效改善质量负载层的工艺限制,以及还有利于实现质量负载层和上电极层的先后顺序的灵活调整,提高了器件的制造效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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